| |
| Τεύχος |
Τίτλος |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
Infrared photoconductivity in heavily doped and highly compensated gallium arsenide = Υπέρυθρη φωτοαγωγιμότητα στο GaAs με ισχυρή πρόσμειξη και μεγάλη αποκατάσταση |
PDF
|
|
P. Gladkov, K. Ozanyan |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
Photocapacitance studies on P - I - N InP: Fe structures = Μελέτη φωτοχωρητικότητας σε P - I - N InP: Fe δομές |
PDF
|
|
A. S. Popov, A. Y. Bahnev |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
Luminescence investigations on heavily doped semiconductors (on the base of gallium arsenide) = Μελέτη φθορισμού ημιαγωγών με μεγάλη συγκέντρωση προσμείξεων: περίπτωση GaAs |
PDF
|
|
B. G. Arnaudov |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
On the anomalous high temperature electrical resistivity behaviour of Cu55 - Ni45 alloy = Η ανώμαλη συμπεριφορά της ειδικής ηλεκτρικής αντίστασης του κράματος Cu55 - Ni45 |
PDF
|
|
Σ. Χατζηβασιλείου, Ιωάννης Α. Τσουκαλάς, Ελένη Παπαδημητράκη-Χλίχλια, Γιάννης Γ. Αντωνόπουλος, Θεόδωρος Σ. Καρακώστας, Ν. Α. Οικονόμου |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
On the mobility of current carriers in tin telluride = Επί της ευκινησίας φορέων στο SnTe |
PDF
|
|
M. Moldovanova, R. Assenov |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
A Differential evaluation of I - V characteristics of one - carrier semiconducting crystals: application of CdS single crystals = Διαφορική αποτίμηση χαρακτηριστικών τάσης - έντασης σε ημιαγωγούς ενός είδους φορέων: εφαρμογή σε κρυστάλλους CdS |
PDF
|
|
Αλέξανδρος Αναγνωστόπουλος, Α. Καρούτης, Ιωάννης Ε. Σπυριδέλης |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
Direct relations between fresnel' s amplitude coefficients for the boundaries of plane parallel absorbing plate = ’μμεσες σχέσεις μεταξύ των πλατών των συντελεστών fresnel για τις ενδοεπιφάνειες των παράλληλων επιπέδων απορροφήσεως |
PDF
|
|
D. B. Kushev |
| |
| Τόμ. 16, Αρ. 1 (1976) |
Scattering processes and carrier mobility in semiconductors = Φαινόμενα σχεδιασμού των ηλεκτρικών φορέων και ευκινησία αυτών εις τους ημιαγωγούς |
PDF
|
|
Σεμίραμις Διονυσίου-Κουϊμτζή |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
Deep levels in Fe - doped InP and GaP investigated by optical absorption and double injection techniques = Μελέτη των βαθειών σταθμών των InP και GaP με προσμείξεις Fe με την τεχνική διπλής διαχύσεως και οπτικής απορροφήσεως |
PDF
|
|
D. B. Kushev, A. S. Popov |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
Near band - edge photoconductivity in heavily doped conpensated epitaxial gallium arsenide layers = Φωτοαγωγιμότης κοντά στην ακμή ταινίας σε επιταξιακά επίπεδα Ga - As με ισχυρή διάχυση προσμείξεων |
PDF
|
|
S. Evtimova, B. G. Arnaudov |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
A Method for determination of "Frequency dependence effects" in the infrared plasma spectra of semiconductors = Μια μέθοδος προσδιορισμού των φαινομένων εξάρτησης από τη συχνότητα στα υπέρυθρα φάσματα πλάσματος των ημιαγωγών |
PDF
|
|
Δημήτριος Ι. Σιάπκας |
| |
| Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) |
Long wavelength optical lattice vibrations and structural phase transition in mixed a - In2S3 - xSex crystals = Οπτικές δονήσεις μεγάλου μήκους κύματος και δομική μεταβολή φάσεως στους μικτούς a - In2S3 - xSex κρυστάλλους |
PDF
|
|
Κωνσταντίνος Α. Καμπάς, Ιωάννης Ε. Σπυριδέλης |
| |
| 1 - 12 από 12 Στοιχεία |
|
